为定量分析MOSFET电流-电压特性，可以假定（ ）。
A: 漏区和源区的电压降可以忽略不计
B: 沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C: 在沟道内载流子的迁移率为常数
D: 以上都正确
A: 漏区和源区的电压降可以忽略不计
B: 沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C: 在沟道内载流子的迁移率为常数
D: 以上都正确
举一反三
- 在推导MOSFET电流方程时,假设沟道区不存在产生-复合电流。若严格考虑,MOSFET正常工作时, A: 沟道区存在产生电流 B: 沟道区存在复合电流 C: 沟道区既不存在产生电流,也不存在复合电流 D: 沟道区同时存在产生电流和复合电流,但可相互抵消
- n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（）。 A: 可调电阻区的电压范围为 B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系 D: 越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
- MOSFET的特性就是沟道的电阻特性，所以漏极电流随漏源电压线性增加。
- 中国大学MOOC: 为定量分析MOSFET电流-电压特性，可以假定（ ）。
- N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。