物理气相沉积方法有（ ）。
A: 磁控溅射
B: 等离子体增强化学气相沉积
C: 热蒸发
D: 电子束蒸发
A: 磁控溅射
B: 等离子体增强化学气相沉积
C: 热蒸发
D: 电子束蒸发
举一反三
- “PECVD”中文表述是（）。 A: 脉冲激光沉积 B: 金属有机化学气相沉积 C: 溅射 D: 等离子体增强化学气相沉积
- “等离子体增强化学气相沉积”,是一种化学气相沉积。
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 化学气相沉积（CVD）按照反应气压进行分类，可以分为？ A: 常压化学气相沉积 B: 低压化学气相沉积 C: 等离子体增强化学气相沉积 D: 高压气相沉积
- 可以进行局部沉积制膜的化学气相方法是______________ 。 A: 热分解沉积 B: 化学反应沉积 C: 等离子体增强沉积 D: 光化学沉积