缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（ ）、（ ）、（）、和（ ）。
等离子体增强化学气相淀积 低压化学气相淀积 高密度等离子体化学气相淀积 常压化学气相淀积
举一反三
内容
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比较APCVD、LPCVD和PECVD三种方法的主要异同?主要优缺点?
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()采用增强的等离子体,从而增加淀积能量,降低沉积温度。 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD
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对于已经完成金属化工艺，介质的淀积常常采用哪种方法 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD D: LCVD
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关于CVD方法,以下说法正确的是:() A: CVD过程中,温度较高时一定为扩散限制 B: APCVD的成膜质量要明显高于LPCVD C: PECVD的沉积温度要明显低于APCVD和LPCVD D: CVD技术可以作为一种表面改性技术
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目前典型的CVD系统主要可分为三种，其中淀积温度最高的是 。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: MOCVD