关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
A: 含H
B: 常作为腐蚀掩膜
C: 台阶覆盖性较好
D: 常作为芯片的保护膜
A: 含H
B: 常作为腐蚀掩膜
C: 台阶覆盖性较好
D: 常作为芯片的保护膜
举一反三
- 关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？ A: 含H； B: 抗腐蚀性好； C: 台阶覆盖性较好； D: 是中温工艺； E: 常作为芯片的保护膜； F: 常作为腐蚀掩膜。
- 薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
- 作为芯片保护膜、钝化膜的氮化硅是以PECVD、LPCVD中的 ______ 方法制备的。
- 中国大学MOOC: 关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
- 离子注入不可以使用金属薄膜作为掺杂掩膜。 A: 正确 B: 错误