中国大学MOOC: 关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
举一反三
- 关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？ A: 含H B: 常作为腐蚀掩膜 C: 台阶覆盖性较好 D: 常作为芯片的保护膜
- 关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？ A: 含H； B: 抗腐蚀性好； C: 台阶覆盖性较好； D: 是中温工艺； E: 常作为芯片的保护膜； F: 常作为腐蚀掩膜。
- 下列各组量子数中，合理的一组是（ ） A: n = 4，l = 2，m = +3，si = -1/2 B: n = 3，l = 1，m = +1，si = +1/2 C: n = 4，l = 25，m = -1，si = +1/2 D: n = 3，l = 3，m = +1，si = -1/2
- 下列各组量子数合理的是： ( ) A: n = 2 l = 1 m = 0 si= 0 B: n = 3 l = 2 m = 0 si= +1/2 C: n = 3 l = 3 m = 2 si= - 1/2 D: n = 5 l = 3 m = 4 si= - 1/2
- 中国大学MOOC: 关于流砂，下列哪个说法不正确？