关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 高电子迁移率器件（HEMT）的独特性在于（）结构。宽带隙的半导体和窄带隙的半导体接触时，在（）带隙半导体的一侧形成（），载流子被束缚在（）里，这些电子在垂直方向是量子化的，称为（）。这些电子的浓度受到（）的控制，电子迁移率非常（）。 高电子迁移率器件（HEMT）的独特性在于（）结构。宽带隙的半导体和窄带隙的半导体接触时，在（）带隙半导体的一侧形成（），载流子被束缚在（）里，这些电子在垂直方向是量子化的，称为（）。这些电子的浓度受到（）的控制，电子迁移率非常（）。 答案： 查看 举一反三 由于半导体材料的载流子浓度和电子迁移率适中，故半导体材料适于制作霍尔元件。（ ） 在N型半导体中，电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导体作用主要由电子决定。 霍尔元件常采用半导体材料制造，主要原因是半导体材料（ ） A: 电子迁移率高，电阻率很小。 B: 电子迁移率极低，电阻率极高。 C: 电子迁移率极低，电阻率很低。 D: 电子迁移率较大，电阻率较大。 对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更低的能量。（ ） 电子由导体进入纳米隙等于电子自由程时，才可能发生电子隧穿
