下列三种半导体器件中属于光器件的是( ) A: MESFET B: HEMT C: 激光二极管
下列三种半导体器件中属于光器件的是( ) A: MESFET B: HEMT C: 激光二极管
Which<br/>one is not Junction Field-Effect Transistor.( ) A: pn<br/>JFET B: MESFET C: HEMT D: bipolar<br/>transitor
Which<br/>one is not Junction Field-Effect Transistor.( ) A: pn<br/>JFET B: MESFET C: HEMT D: bipolar<br/>transitor
由于声子散射的影响,随着温度升高,HEMT器件中电子迁移率会降低。 A: 正确 B: 错误
由于声子散射的影响,随着温度升高,HEMT器件中电子迁移率会降低。 A: 正确 B: 错误
高电子迁移率器件(HEMT)的独特性在于()结构。宽带隙的半导体和窄带隙的半导体接触时,在()带隙半导体的一侧形成(),载流子被束缚在()里,这些电子在垂直方向是量子化的,称为()。这些电子的浓度受到()的控制,电子迁移率非常()。
高电子迁移率器件(HEMT)的独特性在于()结构。宽带隙的半导体和窄带隙的半导体接触时,在()带隙半导体的一侧形成(),载流子被束缚在()里,这些电子在垂直方向是量子化的,称为()。这些电子的浓度受到()的控制,电子迁移率非常()。
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