NMOSFET沟道长度很短时，沟道内等势线的弯曲导致半导体衬底的有效掺杂浓度（）
A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 无法确定
A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 无法确定
举一反三
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
- 对于NMOSFET来说，降低半导体衬底的掺杂浓度，可以使亚阈值摆幅（ ） A: 减小 B: 增大 C: 不变
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- 减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为 A: 增加氧化层厚度 B: 提高沟道区掺杂浓度 C: 降低沟道长度 D: 增加衬-源反偏电压
- （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度