关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 对于NMOSFET来说，降低半导体衬底的掺杂浓度，可以使亚阈值摆幅（ ） A: 减小 B: 增大 C: 不变 对于NMOSFET来说，降低半导体衬底的掺杂浓度，可以使亚阈值摆幅（ ）A: 减小B: 增大C: 不变 答案： 查看 举一反三 对于实际NMOSFET来说，亚阈值摆幅随沟道长度减小而（ ） A: 增大 B: 减小 C: 不变 （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度 抗穿通离子注入工艺对NMOSFET亚阈值摆幅的主要影响是使其（ ） A: 减小 B: 增加 C: 不变 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度 NMOSFET沟道长度很短时，沟道内等势线的弯曲导致半导体衬底的有效掺杂浓度（） A: 升高 B: 降低 C: 不变 D: 无法确定
