抗穿通离子注入工艺对NMOSFET亚阈值摆幅的主要影响是使其（ ）
A: 减小
B: 增加
C: 不变
A: 减小
B: 增加
C: 不变
举一反三
- 对于实际NMOSFET来说，亚阈值摆幅随沟道长度减小而（ ） A: 增大 B: 减小 C: 不变
- 对于NMOSFET来说，降低半导体衬底的掺杂浓度，可以使亚阈值摆幅（ ） A: 减小 B: 增大 C: 不变
- 减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为 A: 增加氧化层厚度 B: 提高沟道区掺杂浓度 C: 降低沟道长度 D: 增加衬-源反偏电压
- 有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ） A: <img src="https://image.zhihuishu.com/zhs/doctrans/docx2html/202011/fa20315615b54f2e9c2935937c1c77e3.png"> B: <img src="https://image.zhihuishu.com/zhs/doctrans/docx2html/202011/953d9ddc65f14ffbabf7485517bdc0af.png"> C: 温度升高，亚阈值摆幅增大 D: 亚阈值摆幅的单位是mV
- 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度