对于实际NMOSFET来说，亚阈值摆幅随沟道长度减小而（ ）
A: 增大
B: 减小
C: 不变
A: 增大
B: 减小
C: 不变
举一反三
- 对于NMOSFET来说，降低半导体衬底的掺杂浓度，可以使亚阈值摆幅（ ） A: 减小 B: 增大 C: 不变
- （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- 抗穿通离子注入工艺对NMOSFET亚阈值摆幅的主要影响是使其（ ） A: 减小 B: 增加 C: 不变
- 短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定
- 对于窄沟道NMOSFET来说，使用STI（氧化物浅槽隔离）会使得沟道变窄时阈值电压（） A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 不确定