重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
A: 衬底掺杂浓度
B: 氧化层厚度
C: 多晶硅与衬底的功函数差
D: 栅极电压
A: 衬底掺杂浓度
B: 氧化层厚度
C: 多晶硅与衬底的功函数差
D: 栅极电压
D
举一反三
- 中国大学MOOC: 重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
- 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压
- 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
- 以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（）。 A: 半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压 B: 若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小 C: 衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态 D: 氧化层厚度增加，阈值电压增加
- 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度
内容
- 0
下面（ ）影响功率MOSFET或IGBT的大小。 A: 衬底掺杂浓度 B: 功函数差 C: 氧化层中的电荷 D: 沟道区掺杂浓度
- 1
以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（ ） A: 提高衬底的掺杂浓度 B: 增加绝缘层的厚度 C: 降低金属的功函数 D: 提高平带电压 E: 提高绝缘层的介电常数
- 2
（）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- 3
与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底
- 4
理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小