对于增强型NMOS场效应管来说，只有当UGS＞______ ，UDS＞______ 时，才会产生漏极电流ID
举一反三
- 增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
- 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为： A: N沟道结型管 B: P沟道结型管 C: 耗尽型PMOS管 D: 耗尽型NMOS管 E: 增强型PMOS管 F: 增强型NMOS管
- UGS＝0V时，增强型MOS管的漏极电流近似为零
- 下面三个图形为结型场效应管栅源电压UGS取值为夹断电压UGS（off）—0之间的某一固定值时，漏极电流ID随漏源电压UDS的变化的情况。下列文字描述正确的是。 4b6af8a6ade69dc0231d2112d94c9558.pngcb38b7e906459b0da23a17b8c8f3a891.pngbebfb7f54293952ca6fcd9b2f69233bb.png
- 耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。 A: UGS＞UT B: UGS＜UT C: UGS=0 D: UGS＜UP