增加集电区掺杂浓度NC对特征频率fT和集电结击穿电压BVCB的影响是： A: 使得fT增加、BVCB增加； B: 使得fT增加、BVCB减小； C: 使得fT减小、BVCB减小； D: 使得fT减小、BVCB增加；
增加集电区掺杂浓度NC对特征频率fT和集电结击穿电压BVCB的影响是： A: 使得fT增加、BVCB增加； B: 使得fT增加、BVCB减小； C: 使得fT减小、BVCB减小； D: 使得fT减小、BVCB增加；
1