关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-14 采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含（）。 A: 电离 B: 运输 C: 沉积 D: 粘附 采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含（）。A: 电离B: 运输C: 沉积D: 粘附 答案： 查看 举一反三 非晶硅薄膜生产中采用PECVD制备______。 A: 金属导电膜 B: 背电极 C: 减反射膜 D: 硅薄膜 1. 薄膜材料制备中基片的清洗方法应根据薄膜生长方法和薄膜使用目的来确定 （ ） 采用LPCVD或PECVD方法可以制备下列哪种薄膜： A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶介质 D: 二氧化硅 下列特点当中，哪些是脉冲激光沉积技术制备薄膜的优点？ A: 与靶材成分容易一致 B: 靶材易于制备 C: 生长过程可原位引入多种气体 D: 可制备的薄膜种类多 通过PECVD工艺沉积的非晶硅薄膜（a-Si）属于() A: 导体 B: 绝缘体 C: 半导体 D: 超导体
