直接复合时，小注入的n型半导体的非平衡载流子寿命τ主要决定于（ ）。
A: 1 /rn0
B: 1 /rp0
C: 1 /r△n
D: 1 /r△p
A: 1 /rn0
B: 1 /rp0
C: 1 /r△n
D: 1 /r△p
举一反三
- 直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。 A: 少子浓度 B: 多子浓度 C: 非平衡少子浓度
- 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（） A: 1/n0 B: 1/△n C: 1/p0 D: 1/△p
- 直接复合时，小注入的小注入的N 型半导体的非平衡载流子寿命 [img=35x37]17da6df53c17303.jpg[/img]决定于（ ） 未知类型：{'options': ['', '', '其他', ''], 'type': 102}
- 直接复合时，小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命 td 决定于 。 未知类型：{'options': ['', '', '', '其它'], 'type': 102}
- 设`\A`为非零方阵，当`\A^T = A^ ** `时，则`\R(A) = `（ ） A: 0 B: 1 C: \[n - 1\] D: \[n\]