关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-31 对于窄沟道NMOSFET来说，使用STI（氧化物浅槽隔离）会使得沟道变窄时阈值电压（） A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 不确定 对于窄沟道NMOSFET来说，使用STI（氧化物浅槽隔离）会使得沟道变窄时阈值电压（）A: 增大B: 减小C: 不变D: 不确定 答案： 查看 举一反三 对于实际NMOSFET来说，亚阈值摆幅随沟道长度减小而（ ） A: 增大 B: 减小 C: 不变 短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定 （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度 窄沟道效应导致NMOSFET阈值电压增大。 A: 对 B: 错 C: 视情况而言 对于NMOSFET来说，降低半导体衬底的掺杂浓度，可以使亚阈值摆幅（ ） A: 减小 B: 增大 C: 不变
