对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？? 对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理。|对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理。|对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理。|对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理。
举一反三
- 对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？ A: 对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理。 B: 利用扩散模型得到的结果是异质pn结的正向电流随电压按e指数规律增加。 C: 对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理。 D: 利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加。 E: 对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理。 F: 对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理。
- PN结具有电容特性，其中正偏时PN结电容以______电容为主，反偏时结电容以______电容为主。利用______电容可以制成变容二极管。 A: 扩散 势垒 势垒 B: 扩散 势垒 扩散 C: 势垒 扩散 势垒 D: 势垒 扩散 扩散
- PN结势垒电容
- 一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中
- PN结正向运用时，（ ）电容起主要作用。 A: 扩散 B: 势垒 C: 扩散和势垒 D: 无法确定